Numero di Prodotto del Fabbricante:
FCP9N60N
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FCP9N60N-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 9A (Tc) 83.3W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventario:
12839192
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FCP9N60N Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
SuperMOS™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
385mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1240 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
83.3W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220-3
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
FCP9N60
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IXTP12N65X2
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IXTP12N65X2-DG
PREZZO UNITARIO
2.28
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
STP13N60M2
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
971
NUMERO DI PEZZO
STP13N60M2-DG
PREZZO UNITARIO
0.76
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
STP17N80K5
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
STP17N80K5-DG
PREZZO UNITARIO
2.15
TIPO DI SOSTITUZIONE
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NUMERO DI PARTE
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FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IPP60R299CPXKSA1-DG
PREZZO UNITARIO
1.25
TIPO DI SOSTITUZIONE
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NUMERO DI PARTE
STP15N80K5
FABBRICANTE
STMicroelectronics
QUANTITÀ DISPONIBILE
600
NUMERO DI PEZZO
STP15N80K5-DG
PREZZO UNITARIO
2.03
TIPO DI SOSTITUZIONE
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