Numero di Prodotto del Fabbricante:
FCP650N80Z
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FCP650N80Z-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 10A TO220
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 800 V 10A (Tc) 162W (Tc) Through Hole TO-220
Inventario:
12847028
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FCP650N80Z Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
SuperFET® II
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 4A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 800µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1565 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
162W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Numero di prodotto di base
FCP650
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
2156-FCP650N80Z
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
FCP400N80Z
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
850
NUMERO DI PEZZO
FCP400N80Z-DG
PREZZO UNITARIO
1.50
TIPO DI SOSTITUZIONE
MFR Recommended
NUMERO DI PARTE
IXTP10N60P
FABBRICANTE
IXYS
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
IXTP10N60P-DG
PREZZO UNITARIO
2.26
TIPO DI SOSTITUZIONE
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