FCI25N60N-F102
Numero di Prodotto del Fabbricante:

FCI25N60N-F102

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

FCI25N60N-F102-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 600V 25A I2PAK
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 25A (Tc) 216W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)

Inventario:

12839001
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FCI25N60N-F102 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
SupreMOS™
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
25A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 12.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3352 pF @ 100 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
216W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-262 (I2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numero di prodotto di base
FCI25N60

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
FCI25N60N_F102-DG
FCI25N60N_F102

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
IPI60R099CPXKSA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
500
NUMERO DI PEZZO
IPI60R099CPXKSA1-DG
PREZZO UNITARIO
3.99
TIPO DI SOSTITUZIONE
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