Numero di Prodotto del Fabbricante:
FCH165N60E
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FCH165N60E-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 600V 23A TO247-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 600 V 23A (Tc) 227W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventario:
473 Pz Nuovo Originale Disponibile
12850444
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
FCH165N60E Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tube
Serie
SuperFET® II
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
600 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
23A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
165mOhm @ 11.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3.5V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
2434 pF @ 380 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
227W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247-3
Pacchetto / Custodia
TO-247-3
Numero di prodotto di base
FCH165
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Altri nomi
FCH165N60E-DG
FCH165N60EOS
2156-FCH165N60E
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
IPW60R180C7XKSA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
218
NUMERO DI PEZZO
IPW60R180C7XKSA1-DG
PREZZO UNITARIO
1.58
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
SIHG22N60AE-GE3
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
SIHG22N60AE-GE3-DG
PREZZO UNITARIO
1.64
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
APT34M60B
FABBRICANTE
Microchip Technology
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
APT34M60B-DG
PREZZO UNITARIO
11.84
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
SIHG22N60E-GE3
FABBRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTITÀ DISPONIBILE
498
NUMERO DI PEZZO
SIHG22N60E-GE3-DG
PREZZO UNITARIO
1.88
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
IPW60R190P6FKSA1
FABBRICANTE
Infineon Technologies
QUANTITÀ DISPONIBILE
164
NUMERO DI PEZZO
IPW60R190P6FKSA1-DG
PREZZO UNITARIO
1.45
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
FDB8442-F085
MOSFET N-CH 40V 28A TO263AB
HUF75652G3
MOSFET N-CH 100V 75A TO247-3
BSP125 E6327
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
