Numero di Prodotto del Fabbricante:
FCH023N65S3L4
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FCH023N65S3L4-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 75A TO247
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 75A (Tc) 595W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventario:
12838804
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FCH023N65S3L4 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tube
Serie
SuperFET® III
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
23mOhm @ 37.5A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 7.5mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
222 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
7160 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
595W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-247-4
Pacchetto / Custodia
TO-247-4
Numero di prodotto di base
FCH023
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Altri nomi
FCH023N65S3L4-DG
FCH023N65S3L4OS
2832-FCH023N65S3L4
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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