Numero di Prodotto del Fabbricante:
FCB125N65S3
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
FCB125N65S3-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 650V 24A TO263
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 650 V 24A (Tc) 181W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventario:
800 Pz Nuovo Originale Disponibile
12938392
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FCB125N65S3 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
SuperFET® III
Stato del prodotto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
650 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
24A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
125mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4.5V @ 590µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
46 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1940 pF @ 400 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
181W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263 (D2PAK)
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
FCB125
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
800
Altri nomi
488-FCB125N65S3CT
488-FCB125N65S3TR
488-FCB125N65S3DKR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
NVB125N65S3
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
800
NUMERO DI PEZZO
NVB125N65S3-DG
PREZZO UNITARIO
1.73
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
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