Numero di Prodotto del Fabbricante:
EMG2DXV5T1G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
EMG2DXV5T1G-DG
Descrizione:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.23W SOT553
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 NPN - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 230mW Surface Mount SOT-553
Inventario:
12925827
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EMG2DXV5T1G Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
47kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
47kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
80 @ 5mA, 10V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
-
Potenza - Max
230mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-553
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-553
Numero di prodotto di base
EMG2DX
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
4,000
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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