Numero di Prodotto del Fabbricante:
EMF5XV6T1G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
EMF5XV6T1G-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT563
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V, 12V 100mA, 500mA 357mW Surface Mount SOT-563
Inventario:
12986570
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EMF5XV6T1G Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
EMF
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA, 500mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V, 12V
Resistore - Base (R1)
47kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
-
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
80 @ 5mA, 10V / 270 @ 10mA, 2V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA / 250mV @ 10mA, 200mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA, 100nA (ICBO)
Frequenza - Transizione
-
Potenza - Max
357mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-563
Numero di prodotto di base
EMF5XV
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1
Altri nomi
488-EMF5XV6T1GTR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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