EMF23XV6T5G
Numero di Prodotto del Fabbricante:

EMF23XV6T5G

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

EMF23XV6T5G-DG

Descrizione:

SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP 50V, 60V 100mA 140MHz 357mW Surface Mount SOT-563

Inventario:

88000 Pz Nuovo Originale Disponibile
12997199
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EMF23XV6T5G Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
onsemi
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
1 NPN - Pre-Biased, 1 PNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V, 60V
Resistore - Base (R1)
10kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
10kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
35 @ 5mA, 10V / 120 @ 1mA, 6V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA / 500mV @ 5mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA, 500pA (ICBO)
Frequenza - Transizione
140MHz
Potenza - Max
357mW
Grado
-
Qualificazione
-
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-563

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Datasheet

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
5,323
Altri nomi
2156-EMF23XV6T5G-488

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Vendor Undefined
Stato REACH
REACH Unaffected
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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