Casa
Prodotti
Fornitori
Informazioni su DiGi
Contattaci
Blog e Post
RFQ/Preventivo
ltaly
Accedi
Lingua Selettiva
Lingua attuale di tua scelta:
ltaly
Interruttore:
Inglese
Europa
Regno Unito
Repubblica Democratica del Congo
Argentina
Turchia
Romania
Lituania
Norvegia
Austria
Angola
Slovacchia
Italia
Finlandia
Belarus
Bulgaria
Danimarca
Estonia
Polonia
Ucraina
Slovenia
Ceco
Greco
Croazia
Israele
Montenegro
Russo
Belgio
Svezia
Serbia
Basco
Islanda
Bosnia
Ungherese
Moldavia
Germania
Paesi Bassi
Irlanda
Asia / Pacifico
Cina
Vietnam
Indonesia
Thailandia
Laos
Filippine
Malaysia
Corea
Giappone
Hongkong
Taiwan
Singapore
Pakistan
Arabia Saudita
Qatar
Kuwait
Cambogia
Myanmar
Africa, India e Medio Oriente
Emirati Arabi Uniti
Tagikistan
Madagascar
India
Iran
Francia
Sud Africa
Egitto
Kenia
Tanzania
Ghana
Senegal
Marocco
Tunisia
Sud America / Oceania
Nuova Zelanda
Portogallo
Brasile
Mozambico
Perù
Colombia
Cile
Venezuela
Ecuador
Bolivia
Uruguay
Spagna
Paraguay
Australia
Nord America
Stati Uniti
Haiti
Canada
Costa Rica
Messico
Informazioni su DiGi
Chi Siamo
Chi Siamo
Le nostre certificazioni
Introduzione
Perché DiGi
Politica
Politica della Qualità
Termini di utilizzo
Conformità RoHS
Processo di Restituzione
Risorse
Categorie di Prodotto
Fornitori
Blog e Post
Servizi
Garanzia di qualità
Modalità di pagamento
Spedizione Globale
Tariffe di spedizione
Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
EMD4DXV6T5G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
EMD4DXV6T5G-DG
Descrizione:
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 500mW Surface Mount SOT-563
Inventario:
RFQ Online
12846098
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
*
Azienda
*
Nome Contatto
*
Telefono
*
E-mail
Indirizzo di consegna
Messaggio
(
*
) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
EMD4DXV6T5G Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
47kOhms, 10kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
47kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
80 @ 5mA, 10V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
-
Potenza - Max
500mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-563
Numero di prodotto di base
EMD4DXV6
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
EMD4DXV6
Scheda Dati HTML
EMD4DXV6T5G-DG
Schede dati
EMD4DXV6T5G
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
8,000
Altri nomi
2156-EMD4DXV6T5G-OS
ONSONSEMD4DXV6T5G
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
DDC143TH-7
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
DDC143TH-7-DG
PREZZO UNITARIO
0.06
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
DDC144EH-7
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
5220
NUMERO DI PEZZO
DDC144EH-7-DG
PREZZO UNITARIO
0.10
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
PEMD48,115
FABBRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
4000
NUMERO DI PEZZO
PEMD48,115-DG
PREZZO UNITARIO
0.07
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
PEMD9,115
FABBRICANTE
Nexperia USA Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
10895
NUMERO DI PEZZO
PEMD9,115-DG
PREZZO UNITARIO
0.07
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
EMD4T2R
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
5974
NUMERO DI PEZZO
EMD4T2R-DG
PREZZO UNITARIO
0.08
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
EMD5DXV6T5G
TRANS PREBIAS NPN/PNP 50V SOT563
DMA961030R
TRANS PREBIAS DUAL PNP SSMINI5
EMD5DXV6T1
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
DMA964020R
TRANS PREBIAS DUAL PNP SSMINI6