Numero di Prodotto del Fabbricante:
EMD4DXV6T5
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
EMD4DXV6T5-DG
Descrizione:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased 50V 100mA 357mW Surface Mount SOT-563
Inventario:
416000 Pz Nuovo Originale Disponibile
12934039
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EMD4DXV6T5 Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
onsemi
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
47kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
47kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
80 @ 5mA, 10V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Frequenza - Transizione
-
Potenza - Max
357mW
Grado
-
Qualificazione
-
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-563
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
6,662
Altri nomi
2156-EMD4DXV6T5
ONSONSEMD4DXV6T5
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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