EFC4C012NLTDG
Numero di Prodotto del Fabbricante:

EFC4C012NLTDG

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

EFC4C012NLTDG-DG

Descrizione:

MOSFET 2N-CH 30V 30A 6WLCSP
Descrizione Dettagliata:
Mosfet Array 2.5W (Ta) Surface Mount 6-WLCSP (3.5x1.9)

Inventario:

12931952
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EFC4C012NLTDG Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET, Arrays di MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configurazione
2 N-Channel (Dual) Common Drain
Funzione FET
-
Tensione da drain a source (Vdss)
-
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (massimo) @ id
2.2V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
18nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
-
Potenza - Max
2.5W (Ta)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
6-SMD, No Lead
Pacchetto dispositivo fornitore
6-WLCSP (3.5x1.9)
Numero di prodotto di base
EFC4C012

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
5,000
Altri nomi
488-EFC4C012NLTDGDKR
2156-EFC4C012NLTDGTR
488-EFC4C012NLTDGCT
EFC4C012NLTDG-DG
488-EFC4C012NLTDGTR

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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