DTC115EM3T5G
Numero di Prodotto del Fabbricante:

DTC115EM3T5G

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

DTC115EM3T5G-DG

Descrizione:

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 260 mW Surface Mount SOT-723

Inventario:

4725 Pz Nuovo Originale Disponibile
12845258
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DTC115EM3T5G Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
100 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
100 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
80 @ 5mA, 10V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
500nA
Potenza - Max
260 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
SOT-723
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-723
Numero di prodotto di base
DTC115

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
MUN(2,5)236, DTC115xx
Scheda Dati HTML
DTC115EM3T5G-DG
Schede dati
DTC115EM3T5G

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
8,000
Altri nomi
DTC115EM3T5GOSDKR
DTC115EM3T5GOSTR
2156-DTC115EM3T5G-OS
ONSONSDTC115EM3T5G
DTC115EM3T5G-DG
DTC115EM3T5GOSCT

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
RN1130MFV,L3F
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
7533
NUMERO DI PEZZO
RN1130MFV,L3F-DG
PREZZO UNITARIO
0.02
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
DTC115EMT2L
FABBRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
11121
NUMERO DI PEZZO
DTC115EMT2L-DG
PREZZO UNITARIO
0.06
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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