Numero di Prodotto del Fabbricante:
BVSS123LT1G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
BVSS123LT1G-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 170mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Inventario:
16032 Pz Nuovo Originale Disponibile
12845648
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BVSS123LT1G Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Reel (TR)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
170mA (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 100mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2.8V @ 1mA
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
20 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
225mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-23-3 (TO-236)
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero di prodotto di base
BVSS123
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
2156-BVSS123LT1G-OS
BVSS123LT1GOSDKR
BVSS123LT1GOSCT
BVSS123LT1GOSTR
BVSS123LT1G-DG
ONSONSBVSS123LT1G
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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