Numero di Prodotto del Fabbricante:
BSS123-F169
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
BSS123-F169-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH SOT23
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 170mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
Inventario:
12997585
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
BSS123-F169 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
170mA (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6Ohm @ 170mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
2V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
2.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
73 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
360mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-23-3
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numero di prodotto di base
BSS123
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
3,000
Altri nomi
2156-BSS123-F169
488-BSS123-F169TR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
BSS123
FABBRICANTE
ANBON SEMICONDUCTOR (INT'L) LIMITED
QUANTITÀ DISPONIBILE
143884
NUMERO DI PEZZO
BSS123-DG
PREZZO UNITARIO
0.01
TIPO DI SOSTITUZIONE
Parametric Equivalent
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
GT52N10D5
N100V,RD(MAX)<7.5M@10V,RD(MAX)<1
GT100N12K
N120V,65A,RD<12M@10V,VTH2.5V~3.5
GT025N06AM
N60V,170A,RD<2.5M@10V,VTH1.2V~2.