BS108G

Numero di Prodotto del Fabbricante:

BS108G

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

BS108G-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 200 V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92 (TO-226)

Inventario:

RFQ Online

12835498

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BS108G Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

onsemi

Imballaggio

-

Serie

-

Stato del prodotto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

200 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

250mA (Ta)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

2V, 2.8V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

8Ohm @ 100mA, 2.8V

vgs(th) (massimo) @ id

1.5V @ 1mA

Vgs (massimo)

±20V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

150 pF @ 25 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

350mW (Ta)

Temperatura

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-92 (TO-226)

Pacchetto / Custodia

TO-226-3, TO-92-3 Long Body

Numero di prodotto di base

BS108

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

1,000

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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