BS107ARL1
Numero di Prodotto del Fabbricante:

BS107ARL1

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

BS107ARL1-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 200 V 250mA (Ta) 350mW (Ta) Through Hole TO-92 (TO-226)

Inventario:

12847688
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

BS107ARL1 Specifiche Tecniche

Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
200 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
250mA (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.4Ohm @ 250mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 1mA
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
60 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
350mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-92 (TO-226)
Pacchetto / Custodia
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Numero di prodotto di base
BS107

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
2,000

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
RoHS non-compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
BS107P
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
1875
NUMERO DI PEZZO
BS107P-DG
PREZZO UNITARIO
0.19
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
onsemi

FDMS8050ET30

MOSFET N-CH 30V 55A/423A POWER56

infineon-technologies

IPAN80R450P7XKSA1

MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3-31

onsemi

MCH3477-TL-E

MOSFET N-CH 20V 4.5A SC70

onsemi

FDD5670

MOSFET N-CH 60V 52A TO252