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Domande Frequenti
Numero di Prodotto del Fabbricante:
BDV65B
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
BDV65B-DG
Descrizione:
TRANS NPN DARL 100V 10A SOT93
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 10 A 125 W Through Hole SOT-93
Inventario:
RFQ Online
12834457
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BDV65B Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
NPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
10 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
100 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
2V @ 20mA, 5A
Corrente - Taglio collettore (max)
1mA
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
1000 @ 5A, 4V
Potenza - Max
125 W
Frequenza - Transizione
-
Temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-218-3
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-93
Numero di prodotto di base
BDV65
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
BDV64,65B
Scheda Dati HTML
BDV65B-DG
Schede dati
BDV65B
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS non-compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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