BDV65B
Numero di Prodotto del Fabbricante:

BDV65B

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

BDV65B-DG

Descrizione:

TRANS NPN DARL 100V 10A SOT93
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100 V 10 A 125 W Through Hole SOT-93

Inventario:

RFQ Online
12834457
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BDV65B Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
NPN - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
10 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
100 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
2V @ 20mA, 5A
Corrente - Taglio collettore (max)
1mA
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
1000 @ 5A, 4V
Potenza - Max
125 W
Frequenza - Transizione
-
Temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-218-3
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-93
Numero di prodotto di base
BDV65

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
BDV64,65B
Scheda Dati HTML
BDV65B-DG
Schede dati
BDV65B

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
30

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
RoHS non-compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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