Numero di Prodotto del Fabbricante:
BD810G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
BD810G-DG
Descrizione:
TRANS PNP 80V 10A TO220
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 80 V 10 A 1.5MHz 90 W Through Hole TO-220
Inventario:
12848876
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BD810G Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
PNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
10 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
80 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
1.1V @ 300mA, 3A
Corrente - Taglio collettore (max)
1mA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
15 @ 4A, 2V
Potenza - Max
90 W
Frequenza - Transizione
1.5MHz
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220
Numero di prodotto di base
BD810
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
2156-BD810G-OS
ONSONSBD810G
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
2N6491G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
1358
NUMERO DI PEZZO
2N6491G-DG
PREZZO UNITARIO
0.35
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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