BD809G
Numero di Prodotto del Fabbricante:

BD809G

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

BD809G-DG

Descrizione:

TRANS NPN 80V 10A TO220
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 10 A 1.5MHz 90 W Through Hole TO-220

Inventario:

RFQ Online
12850525
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BD809G Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
NPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
10 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
80 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
1.1V @ 300mA, 3A
Corrente - Taglio collettore (max)
1mA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
15 @ 4A, 2V
Potenza - Max
90 W
Frequenza - Transizione
1.5MHz
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220
Numero di prodotto di base
BD809

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
BD809,810

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
50
Altri nomi
BD809G-DG
BD809GOS
2156-BD809G-OS
ONSONSBD809G

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
2N6488G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
501
NUMERO DI PEZZO
2N6488G-DG
PREZZO UNITARIO
0.35
TIPO DI SOSTITUZIONE
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