Numero di Prodotto del Fabbricante:
BD435S
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
BD435S-DG
Descrizione:
TRANS NPN 32V 4A TO126-3
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 32 V 4 A 3MHz 36 W Through Hole TO-126-3
Inventario:
12846501
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BD435S Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
NPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
4 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
32 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
500mV @ 200mA, 2A
Corrente - Taglio collettore (max)
100µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
40 @ 10mA, 5V
Potenza - Max
36 W
Frequenza - Transizione
3MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-225AA, TO-126-3
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-126-3
Numero di prodotto di base
BD435
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
2832-BD435S-488
2832-BD435S
2156-BD435S-488
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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