Numero di Prodotto del Fabbricante:
BD159
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
BD159-DG
Descrizione:
TRANS NPN 350V 0.5A TO126
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 500 mA 20 W Through Hole TO-126
Inventario:
12850554
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BD159 Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
NPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
500 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
350 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
-
Corrente - Taglio collettore (max)
100µA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
30 @ 50mA, 10V
Potenza - Max
20 W
Frequenza - Transizione
-
Temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-225AA, TO-126-3
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-126
Numero di prodotto di base
BD159
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
500
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS non-compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
MJE340
FABBRICANTE
NTE Electronics, Inc
QUANTITÀ DISPONIBILE
440
NUMERO DI PEZZO
MJE340-DG
PREZZO UNITARIO
0.84
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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