Numero di Prodotto del Fabbricante:
2SK4209
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
2SK4209-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 800V 12A TO3PB
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 800 V 12A (Ta) 2.5W (Ta), 190W (Tc) Through Hole TO-3PB
Inventario:
12832685
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2SK4209 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
800 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.08Ohm @ 6A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
75 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±30V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
1500 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2.5W (Ta), 190W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-3PB
Pacchetto / Custodia
TO-3P-3, SC-65-3
Numero di prodotto di base
2SK4209
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
100
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
FQA13N80-F109
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
76
NUMERO DI PEZZO
FQA13N80-F109-DG
PREZZO UNITARIO
2.65
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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