2SK4126

Numero di Prodotto del Fabbricante:

2SK4126

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

2SK4126-DG

Descrizione:

MOSFET N-CH 650V 15A TO3PB

Descrizione Dettagliata:

N-Channel 650 V 15A (Ta) 2.5W (Ta), 170W (Tc) Through Hole TO-3PB

Inventario:

RFQ Online

12834179

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2SK4126 Specifiche Tecniche

Categoria

FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET

Produttore

onsemi

Imballaggio

-

Serie

-

Stato del prodotto

Obsolete

Tipo FET

N-Channel

Tecnologia

MOSFET (Metal Oxide)

Tensione da drain a source (Vdss)

650 V

Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C

15A (Ta)

Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)

10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs

720mOhm @ 6A, 10V

vgs(th) (massimo) @ id

-

Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs

45.4 nC @ 10 V

Vgs (massimo)

±30V

Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds

1200 pF @ 30 V

Funzione FET

-

Dissipazione di potenza (max)

2.5W (Ta), 170W (Tc)

Temperatura

150°C (TJ)

Tipo di montaggio

Through Hole

Pacchetto dispositivo fornitore

TO-3PB

Pacchetto / Custodia

TO-3P-3, SC-65-3

Numero di prodotto di base

2SK4126

Scheda dati e documenti

Scheda Dati HTML

Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard

100

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)

1 (Unlimited)

Stato REACH

REACH Unaffected

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Certificazione DIGI

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

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