Numero di Prodotto del Fabbricante:
2SJ665-DL-1EX
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
2SJ665-DL-1EX-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 100V 27A TO263-2
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 100 V 27A (Ta) 65W (Tc) Surface Mount TO-263-2
Inventario:
12834668
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2SJ665-DL-1EX Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
27A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
77mOhm @ 14A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
-
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4200 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
65W (Tc)
Temperatura
150°C (TA)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-263-2
Pacchetto / Custodia
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numero di prodotto di base
2SJ665
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1
Altri nomi
2156-2SJ665-DL-1EX-ON
ONSONS2SJ665-DL-1EX
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
FQB34P10TM
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
FQB34P10TM-DG
PREZZO UNITARIO
1.23
TIPO DI SOSTITUZIONE
Direct
Certificazione DIGI
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