Numero di Prodotto del Fabbricante:
2SJ661-1E
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
2SJ661-1E-DG
Descrizione:
MOSFET P-CH 60V 38A TO262-3
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 60 V 38A (Ta) 1.65W (Ta), 65W (Tc) Through Hole TO-262-3
Inventario:
12836422
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2SJ661-1E Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
38A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
39mOhm @ 19A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
-
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
4360 pF @ 20 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1.65W (Ta), 65W (Tc)
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-262-3
Pacchetto / Custodia
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numero di prodotto di base
2SJ661
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
50
Altri nomi
2156-2SJ661-1E
ONSONS2SJ661-1E
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
FQP47P06
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
FQP47P06-DG
PREZZO UNITARIO
1.40
TIPO DI SOSTITUZIONE
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