Numero di Prodotto del Fabbricante:
2SD734E-AA
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
2SD734E-AA-DG
Descrizione:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 700 mA 250MHz 600 mW Through Hole 3-NP
Inventario:
307500 Pz Nuovo Originale Disponibile
12946170
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2SD734E-AA Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
700 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
20 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
300mV @ 50mA, 500mA
Corrente - Taglio collettore (max)
1µA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
100 @ 50mA, 2V
Potenza - Max
600 mW
Frequenza - Transizione
250MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Grado
-
Qualificazione
-
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pacchetto dispositivo fornitore
3-NP
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,025
Altri nomi
ONSONS2SD734E-AA
2156-2SD734E-AA
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Certificazione DIGI
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