Numero di Prodotto del Fabbricante:
2SD613E
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
2SD613E-DG
Descrizione:
POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 85 V 6 A 15MHz 40 W Through Hole TO-220AB
Inventario:
4505 Pz Nuovo Originale Disponibile
12937152
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2SD613E Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
6 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
85 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
2V @ 400mA, 4A
Corrente - Taglio collettore (max)
100µA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
100 @ 1A, 5V
Potenza - Max
40 W
Frequenza - Transizione
15MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Grado
-
Qualificazione
-
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220AB
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
485
Altri nomi
2156-2SD613E
ONSONS2SD613E
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
RoHS non-compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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