2SD1725S
Numero di Prodotto del Fabbricante:

2SD1725S

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

2SD1725S-DG

Descrizione:

NPN SILICON TRANSISTOR
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 4 A 180MHz 1.2 W Through Hole TO-126LP

Inventario:

11746 Pz Nuovo Originale Disponibile
12970238
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2SD1725S Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
4 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
100 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
400mV @ 200mA, 2A
Corrente - Taglio collettore (max)
1µA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
140 @ 500mA, 5V
Potenza - Max
1.2 W
Frequenza - Transizione
180MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Grado
-
Qualificazione
-
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-225AA, TO-126-3
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-126LP

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
Datasheet

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
683
Altri nomi
2156-2SD1725S
ONSONS2SD1725S

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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