Numero di Prodotto del Fabbricante:
2SC4134S-E
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
2SC4134S-E-DG
Descrizione:
TRANS NPN 100V 1A TP
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 100 V 1 A 120MHz 800 mW Through Hole TP
Inventario:
12834724
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2SC4134S-E Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
NPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
1 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
100 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
400mV @ 40mA, 400mA
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
140 @ 100mA, 5V
Potenza - Max
800 mW
Frequenza - Transizione
120MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pacchetto dispositivo fornitore
TP
Numero di prodotto di base
2SC4134
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
500
Altri nomi
2156-2SC4134S-E-ON
ONSONS2SC4134S-E
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
TTC004B,Q
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
TTC004B,Q-DG
PREZZO UNITARIO
0.14
TIPO DI SOSTITUZIONE
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