Numero di Prodotto del Fabbricante:
2SC3361-6-TB-E-ON
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
2SC3361-6-TB-E-ON-DG
Descrizione:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 150 mA 100MHz 150 mW Surface Mount 3-CP
Inventario:
30000 Pz Nuovo Originale Disponibile
12941208
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2SC3361-6-TB-E-ON Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
150 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
400mV @ 1mA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
200 @ 1mA, 6V
Potenza - Max
150 mW
Frequenza - Transizione
100MHz
Temperatura
125°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore
3-CP
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,567
Altri nomi
ONSONS2SC3361-6-TB-E
2156-2SC3361-6-TB-E-ON
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
Not applicable
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
Vendor Undefined
HTSUS
0000.00.0000
Certificazione DIGI
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