Numero di Prodotto del Fabbricante:
2SB886
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
2SB886-DG
Descrizione:
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 8A, 10
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor PNP - Darlington 100 V 8 A 20MHz 1.75 W Through Hole TO-220AB
Inventario:
2000 Pz Nuovo Originale Disponibile
12967770
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2SB886 Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
PNP - Darlington
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
8 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
100 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
1.5V @ 8mA, 4A
Corrente - Taglio collettore (max)
100µA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
1500 @ 4A, 3V
Potenza - Max
1.75 W
Frequenza - Transizione
20MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220AB
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
268
Altri nomi
2156-2SB886-488
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Vendor Undefined
Stato REACH
Vendor Undefined
Certificazione DIGI
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