Numero di Prodotto del Fabbricante:
2SB817C-1E
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
2SB817C-1E-DG
Descrizione:
TRANS PNP 140V 12A TO3P-3L
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 140 V 12 A 10MHz 120 W Through Hole TO-3P-3L
Inventario:
12837070
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2SB817C-1E Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
PNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
12 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
140 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
2V @ 500mA, 5A
Corrente - Taglio collettore (max)
100µA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
100 @ 1A, 5V
Potenza - Max
120 W
Frequenza - Transizione
10MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-3P-3, SC-65-3
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-3P-3L
Numero di prodotto di base
2SB817
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
30
Altri nomi
2SB817C-1E-DG
2SB817C-1EOS
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
FJA4210OTU
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
392
NUMERO DI PEZZO
FJA4210OTU-DG
PREZZO UNITARIO
1.81
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
2SA1386
FABBRICANTE
Sanken Electric USA Inc.
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
2SA1386-DG
PREZZO UNITARIO
2.19
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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