Numero di Prodotto del Fabbricante:
2SB1216T-E
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
2SB1216T-E-DG
Descrizione:
TRANS PNP 100V 4A TP
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 130MHz 1 W Through Hole TP
Inventario:
12837039
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2SB1216T-E Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
PNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
4 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
100 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
500mV @ 200mA, 2A
Corrente - Taglio collettore (max)
1µA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
200 @ 500mA, 5V
Potenza - Max
1 W
Frequenza - Transizione
130MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pacchetto dispositivo fornitore
TP
Numero di prodotto di base
2SB1216
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
500
Altri nomi
ONSONS2SB1216T-E
2156-2SB1216T-E-ON
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
2SB1216S-TL-E
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
1071
NUMERO DI PEZZO
2SB1216S-TL-E-DG
PREZZO UNITARIO
0.27
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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