Numero di Prodotto del Fabbricante:
2SB1201T-E
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
2SB1201T-E-DG
Descrizione:
TRANS PNP 50V 2A TP
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 50 V 2 A 150MHz 800 mW Through Hole TP
Inventario:
12834028
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2SB1201T-E Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
PNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
2 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
700mV @ 50mA, 1A
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
200 @ 100mA, 2V
Potenza - Max
800 mW
Frequenza - Transizione
150MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Pacchetto dispositivo fornitore
TP
Numero di prodotto di base
2SB1201
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
500
Altri nomi
2156-2SB1201T-E-ON
ONSONS2SB1201T-E
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
2SA2126-H
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
5
NUMERO DI PEZZO
2SA2126-H-DG
PREZZO UNITARIO
0.71
TIPO DI SOSTITUZIONE
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