Numero di Prodotto del Fabbricante:
2SA1469R-MBS-LA9
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
2SA1469R-MBS-LA9-DG
Descrizione:
PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 60 V 5 A 100MHz 2 W Through Hole TO-220ML
Inventario:
1600 Pz Nuovo Originale Disponibile
12940789
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2SA1469R-MBS-LA9 Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
PNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
5 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
60 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
400mV @ 125mA, 2.5A
Corrente - Taglio collettore (max)
100µA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
100 @ 1A, 2V
Potenza - Max
2 W
Frequenza - Transizione
100MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Grado
-
Qualificazione
-
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-220-3 Full Pack
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220ML
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
919
Altri nomi
2156-2SA1469R-MBS-LA9
ONSONS2SA1469R-MBS-LA9
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
Not applicable
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Certificazione DIGI
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