Numero di Prodotto del Fabbricante:
2SA1319S-AA
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
2SA1319S-AA-DG
Descrizione:
2SA1319 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 160 V 700 mA 120MHz 700 mW Through Hole 3-NP
Inventario:
6000 Pz Nuovo Originale Disponibile
12996783
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2SA1319S-AA Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
PNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
700 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
160 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
500mV @ 25mA, 250mA
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
140 @ 100mA, 5V
Potenza - Max
700 mW
Frequenza - Transizione
120MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Grado
-
Qualificazione
-
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pacchetto dispositivo fornitore
3-NP
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,664
Altri nomi
2156-2SA1319S-AA-488
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Vendor Undefined
Stato REACH
REACH Unaffected
Certificazione DIGI
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