2SA1319S-AA
Numero di Prodotto del Fabbricante:

2SA1319S-AA

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

2SA1319S-AA-DG

Descrizione:

2SA1319 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 160 V 700 mA 120MHz 700 mW Through Hole 3-NP

Inventario:

6000 Pz Nuovo Originale Disponibile
12996783
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA

2SA1319S-AA Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
PNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
700 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
160 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
500mV @ 25mA, 250mA
Corrente - Taglio collettore (max)
100nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
140 @ 100mA, 5V
Potenza - Max
700 mW
Frequenza - Transizione
120MHz
Temperatura
150°C (TJ)
Grado
-
Qualificazione
-
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pacchetto dispositivo fornitore
3-NP

Scheda dati e documenti

Schede tecniche

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
2,664
Altri nomi
2156-2SA1319S-AA-488

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Vendor Undefined
Stato REACH
REACH Unaffected
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
nxp-semiconductors

MMBT3906,215

NEXPERIA MMBT3906 - SMALL SIGNAL

nxp-semiconductors

BCX54,115

NEXPERIA BCX54 - SMALL SIGNAL BI

nxp-semiconductors

BC856BMYL

NEXPERIA BC856 - 60 V, 100 MA PN

harris-corporation

BD538

TRANS PNP 80V 8A TO-220