Numero di Prodotto del Fabbricante:
2N7000TA
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
2N7000TA-DG
Descrizione:
MOSFET N-CH 60V 200MA TO92-3
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 200mA (Tc) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Inventario:
12835714
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2N7000TA Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
onsemi
Imballaggio
Tape & Box (TB)
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
200mA (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
3V @ 1mA
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
50 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
400mW (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-92-3
Pacchetto / Custodia
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Numero di prodotto di base
2N7000
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
2,000
Altri nomi
2N7000TATB
2N7000TATR
2N7000TACT
2N7000TA_T
2N7000TA-DG
2N7000TATR-DG
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
VN10LP
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
5433
NUMERO DI PEZZO
VN10LP-DG
PREZZO UNITARIO
0.26
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
VN10LPSTZ
FABBRICANTE
Diodes Incorporated
QUANTITÀ DISPONIBILE
0
NUMERO DI PEZZO
VN10LPSTZ-DG
PREZZO UNITARIO
0.27
TIPO DI SOSTITUZIONE
Similar
NUMERO DI PARTE
2N7000
FABBRICANTE
Diotec Semiconductor
QUANTITÀ DISPONIBILE
146004
NUMERO DI PEZZO
2N7000-DG
PREZZO UNITARIO
0.03
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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