Numero di Prodotto del Fabbricante:
2N6517G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
2N6517G-DG
Descrizione:
TRANS NPN 350V 0.5A TO92
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 500 mA 200MHz 625 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Inventario:
12833199
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2N6517G Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
NPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
500 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
350 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
1V @ 5mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (max)
50nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
20 @ 50mA, 10V
Potenza - Max
625 mW
Frequenza - Transizione
200MHz
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-92 (TO-226)
Numero di prodotto di base
2N6517
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
5,000
Altri nomi
2N6517GOS
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modelli Alternativi
Certificazione DIGI
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