Numero di Prodotto del Fabbricante:
2N5657G
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
2N5657G-DG
Descrizione:
TRANS NPN 350V 0.5A TO126
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 500 mA 10MHz 20 W Through Hole TO-126
Inventario:
12834312
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2N5657G Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
NPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
500 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
350 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
10V @ 100mA, 500mA
Corrente - Taglio collettore (max)
100µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
30 @ 100mA, 10V
Potenza - Max
20 W
Frequenza - Transizione
10MHz
Temperatura
-65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-225AA, TO-126-3
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-126
Numero di prodotto di base
2N5657
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
500
Altri nomi
2N5657GOS
ONSONS2N5657G
2156-2N5657G
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
MJD340G
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
6546
NUMERO DI PEZZO
MJD340G-DG
PREZZO UNITARIO
0.22
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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