Numero di Prodotto del Fabbricante:
2N5401BU
Product Overview
Produttore:
onsemi
Numero di Parte:
2N5401BU-DG
Descrizione:
BJT TO92 150V PNP 0.625W 150C
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 150 V 600 mA 400MHz 625 mW Through Hole TO-92-3
Inventario:
12834166
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2N5401BU Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
PNP
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
600 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
150 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
500mV @ 5mA, 50mA
Corrente - Taglio collettore (max)
50nA (ICBO)
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
60 @ 10mA, 5V
Potenza - Max
625 mW
Frequenza - Transizione
400MHz
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-92-3
Numero di prodotto di base
2N5401
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
1,000
Altri nomi
2N5401
2N5401-NDR
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
Modelli Alternativi
NUMERO DI PARTE
2N5401YBU
FABBRICANTE
onsemi
QUANTITÀ DISPONIBILE
60032
NUMERO DI PEZZO
2N5401YBU-DG
PREZZO UNITARIO
0.04
TIPO DI SOSTITUZIONE
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Certificazione DIGI
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