2N3663
Numero di Prodotto del Fabbricante:

2N3663

Product Overview

Produttore:

onsemi

Numero di Parte:

2N3663-DG

Descrizione:

RF TRANS NPN 12V 2.1GHZ TO92-3
Descrizione Dettagliata:
RF Transistor NPN 12V 50mA 2.1GHz 350mW Through Hole TO-92-3

Inventario:

12835918
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2N3663 Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Transistor RF Bipolari
Produttore
onsemi
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Obsolete
Tipo di transistor
NPN
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
12V
Frequenza - Transizione
2.1GHz
Figura di rumore (dB Typ @ f)
6.5dB @ 60MHz
Guadagnare
1.5dB
Potenza - Max
350mW
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
20 @ 8mA, 10V
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
50mA
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-92-3
Numero di prodotto di base
2N366

Scheda dati e documenti

Scheda Dati HTML
Schede dati

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
2,000

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

Modelli Alternativi

NUMERO DI PARTE
MT3S16U(TE85L,F)
FABBRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÀ DISPONIBILE
3106
NUMERO DI PEZZO
MT3S16U(TE85L,F)-DG
PREZZO UNITARIO
0.08
TIPO DI SOSTITUZIONE
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QUANTITÀ DISPONIBILE
8628
NUMERO DI PEZZO
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PREZZO UNITARIO
0.12
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PREZZO UNITARIO
0.09
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0.07
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