Numero di Prodotto del Fabbricante:
PUMD17,115
Product Overview
Produttore:
NXP USA Inc.
Numero di Parte:
PUMD17,115-DG
Descrizione:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 300mW Surface Mount SOT-363
Inventario:
298700 Pz Nuovo Originale Disponibile
12947752
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PUMD17,115 Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
NXP Semiconductors
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
47kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
22kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
60 @ 5mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
150mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
1µA
Frequenza - Transizione
-
Potenza - Max
300mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-363
Numero di prodotto di base
PUMD17
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
15,000
Altri nomi
2156-PUMD17,115
NEXNEXPUMD17,115
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
HTSUS
0000.00.0000
Certificazione DIGI
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