Numero di Prodotto del Fabbricante:
PUMB9/ZL115
Product Overview
Produttore:
NXP USA Inc.
Numero di Parte:
PUMB9/ZL115-DG
Descrizione:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 2 PNP - Pre-Biased 50V 100mA 180MHz 300mW Surface Mount 6-TSSOP
Inventario:
12934936
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PUMB9/ZL115 Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Array di Transistori Bipolari, Pre-Biasati
Produttore
NXP Semiconductors
Imballaggio
-
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
2 PNP - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50V
Resistore - Base (R1)
10kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
47kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
100 @ 5mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
100mV @ 250µA, 5mA
Corrente - Taglio collettore (max)
1µA
Frequenza - Transizione
180MHz
Potenza - Max
300mW
Grado
Automotive
Qualificazione
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore
6-TSSOP
Numero di prodotto di base
PUMB9
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
6,000
Altri nomi
NEXNXPPUMB9/ZL115
2156-PUMB9/ZL115
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
Not applicable
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (Unlimited)
Stato REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
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