Numero di Prodotto del Fabbricante:
PSMN8R5-100ESFQ
Product Overview
Produttore:
NXP Semiconductors
Numero di Parte:
PSMN8R5-100ESFQ-DG
Descrizione:
NEXPERIA PSMN8R5 - NEXTPOWER 100
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 97A (Ta) 183W (Ta) Through Hole I2PAK
Inventario:
1000 Pz Nuovo Originale Disponibile
12996758
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PSMN8R5-100ESFQ Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
NXP Semiconductors
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
97A (Ta)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
44.5 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
3181 pF @ 50 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
183W (Ta)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
I2PAK
Pacchetto / Custodia
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Scheda dati e documenti
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
437
Altri nomi
2156-PSMN8R5-100ESFQ-954
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Vendor Undefined
Stato REACH
REACH Unaffected
Certificazione DIGI
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