Numero di Prodotto del Fabbricante:
PSMN2R0-60ES,127
Product Overview
Produttore:
NXP Semiconductors
Numero di Parte:
PSMN2R0-60ES,127-DG
Descrizione:
NEXPERIA PSMN2R0-60ES - 120A, 60
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 338W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventario:
7334 Pz Nuovo Originale Disponibile
12972984
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PSMN2R0-60ES,127 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
NXP Semiconductors
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
60 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
137 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
9997 pF @ 30 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
338W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
I2PAK
Pacchetto / Custodia
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numero di prodotto di base
PSMN2R0
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
214
Altri nomi
2156-PSMN2R0-60ES,127-954
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Vendor Undefined
Stato REACH
REACH Unaffected
Certificazione DIGI
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