Numero di Prodotto del Fabbricante:
PSMN009-100P,127
Product Overview
Produttore:
NXP Semiconductors
Numero di Parte:
PSMN009-100P,127-DG
Descrizione:
NEXPERIA PSMN009-100P - 75A, 100
Descrizione Dettagliata:
N-Channel 100 V 75A (Tc) 230W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventario:
291 Pz Nuovo Originale Disponibile
12967872
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PSMN009-100P,127 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
NXP Semiconductors
Imballaggio
Bulk
Serie
TrenchMOS™
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
100 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
75A (Tc)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
8.8mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (massimo) @ id
4V @ 1mA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
156 nC @ 10 V
Vgs (massimo)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
8250 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
230W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220AB
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Scheda dati e documenti
Scheda Dati HTML
Schede dati
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
192
Altri nomi
2156-PSMN009-100P,127-954
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
Not Applicable
Stato REACH
REACH Unaffected
Certificazione DIGI
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