Numero di Prodotto del Fabbricante:
PMG85XP,115
Product Overview
Produttore:
NXP USA Inc.
Numero di Parte:
PMG85XP,115-DG
Descrizione:
NOW NEXPERIA PMG85XP - SMALL SIG
Descrizione Dettagliata:
P-Channel 20 V 2A (Tj) 375mW (Ta), 2.4W (Tc) Surface Mount 6-TSSOP
Inventario:
1667747 Pz Nuovo Originale Disponibile
12948212
Richiedi preventivo
Quantità
Minimo 1
Minimo 1
(*) è obbligatorio
Ti risponderemo entro 24 ore
Ti risponderemo entro 24 ore
INVIA
PMG85XP,115 Specifiche Tecniche
Categoria
FET, MOSFET, FET singoli, MOSFET
Produttore
NXP Semiconductors
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensione da drain a source (Vdss)
20 V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25°C
2A (Tj)
Tensione di azionamento (max rds on, min rds on)
2.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
115mOhm @ 2A, 4.5V
vgs(th) (massimo) @ id
1.15V @ 250µA
Carica del cancello (Qg) (Max) @ Vgs
7.2 nC @ 4.5 V
Vgs (massimo)
±12V
Capacità di ingresso (Ciss) (max) @ Vds
560 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
375mW (Ta), 2.4W (Tc)
Temperatura
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore
6-TSSOP
Pacchetto / Custodia
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Numero di prodotto di base
PMG85
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
5,495
Altri nomi
2156-PMG85XP,115
NEXNXPPMG85XP,115
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
Stato RoHS
ROHS3 Compliant
Stato REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
Prodotti correlati
TP65H480G4JSG-TR
GANFET N-CH 650V 3.6A 3PQFN
STD15N60DM6
MOSFET N-CH 600V 12A DPAK
NTMFS5C612NT1G-TE
MOSFET N-CH 60V 35A/230A 5DFN
