Numero di Prodotto del Fabbricante:
PHE13009/DG,127
Product Overview
Produttore:
NXP USA Inc.
Numero di Parte:
PHE13009/DG,127-DG
Descrizione:
NOW WEEN - PHE13009 - POWER BIPO
Descrizione Dettagliata:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 12 A 80 W Through Hole TO-220AB
Inventario:
3680 Pz Nuovo Originale Disponibile
12947849
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PHE13009/DG,127 Specifiche Tecniche
Categoria
Bipolare (BJT), Transistor Bipolari Singoli
Produttore
NXP Semiconductors
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
12 A
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
400 V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
2V @ 1.6A, 8A
Corrente - Taglio collettore (max)
100µA
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
8 @ 5A, 5V
Potenza - Max
80 W
Frequenza - Transizione
-
Temperatura
150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Through Hole
Pacchetto / Custodia
TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore
TO-220AB
Scheda dati e documenti
Schede tecniche
Informazioni Aggiuntive
Pacchetto standard
912
Altri nomi
WENNXPPHE13009/DG,127
2156-PHE13009/DG,127
Classificazione Ambientale ed Esportazioni
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificazione DIGI
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