PDTC123ET,215
Numero di Prodotto del Fabbricante:

PDTC123ET,215

Product Overview

Produttore:

NXP USA Inc.

Numero di Parte:

PDTC123ET,215-DG

Descrizione:

TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23
Descrizione Dettagliata:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Surface Mount SOT-23

Inventario:

20221 Pz Nuovo Originale Disponibile
12947681
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PDTC123ET,215 Specifiche Tecniche

Categoria
Bipolare (BJT), Transistor bipolare pre-biasato singolo
Produttore
NXP Semiconductors
Imballaggio
Bulk
Serie
-
Stato del prodotto
Active
Tipo di transistor
NPN - Pre-Biased
Corrente - Collettore (Ic) (Max)
100 mA
Tensione - Guasto collettore emettitore (max)
50 V
Resistore - Base (R1)
2.2 kOhms
Resistenza - Base emettitore (R2)
2.2 kOhms
Guadagno di corrente CC (hFE) (min) @ Ic, vce
30 @ 20mA, 5V
Saturazione vce (max) @ ib, ic
150mV @ 500µA, 10mA
Corrente - Taglio collettore (max)
1µA
Potenza - Max
250 mW
Tipo di montaggio
Surface Mount
Pacchetto / Custodia
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Pacchetto dispositivo fornitore
SOT-23
Numero di prodotto di base
PDTC123

Scheda dati e documenti

Schede tecniche
PDTC123EU,115 Datasheet

Informazioni Aggiuntive

Pacchetto standard
15,000
Altri nomi
NEXNXPPDTC123ET,215
2156-PDTC123ET,215

Classificazione Ambientale ed Esportazioni

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificazione DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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